当前 ASML 已经预警 2027 至 2028 年会出现 EUV 光刻机供应缺口，三星和 SK 海力士正在抢着下单、争取更早的交付排期，两家各自准备投入 10 万亿到 20 万亿韩元采购 EUV 设备，用来扩建高端 DRAM 产线，AI 算力带来的高需求，让先进存储产能变得格外重要，能不能拿到光刻机交付名额，直接决定后续 DRAM 制程迭代和出货规模。SK 海力士在今年 3 月就官宣了一笔约 11.95 万亿韩元的 EUV 采购订单，约定交付截止时间为 2027 年 12 月 31 日；三星这边的采购计划配合平泽 P5 产线推进，这条产线目标 2028 年投产，单座工厂投入超过 60 万亿韩元。现在 EUV 交付周期已经拉长到原来两倍，两家都在考虑提前下单，还预留了追加订单的空间，谁先锁定更多设备，谁就能在下一代高容量、高性能 AI 存储上占优。
两家企业采购规划对比表
| 企业 | 核心项目 | 采购计划 | 目标投产时间 |
|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 利川 M16 工厂，先进 DRAM | 11.95 万亿韩元 EUV 订单，可追加采购 | 2027 年底前交付设备，推进 High NA EUV 量产验证 |
| 三星电子 | 平泽 P5 晶圆厂 | 配套 P5 产线分批采购 EUV，总投入 10-20 万亿韩元区间 | 2028 年 P5 产线投产，计划 2028 年把 High NA EUV 导入 DRAM 量产 |
核心背景清单
- 设备缺口：ASML 公开预判 2027–2028 年 EUV 产能供给跟不上全球存储、先进逻辑芯片的订单需求；
- 产品用途：这批争抢的光刻机主要用于 DRAM，不是 NAND 闪存，重点推进 1anm 及之后更先进存储节点；
- 机型区分：包含常规 0.33NA EUV，以及新一代 High NA EUV（EXE:5200B），High NA 可以把电路图案做得更小、单片晶圆芯片数量更多；
- 成本压力：EUV 设备单价极高，加上后续耗材、零部件涨价，ASML 零部件将上调 10%，进一步抬高存储厂商资本开支。
事件时间线
- 2025 年 09 月：SK 海力士引入存储行业首台量产版 High NA EUV 光刻机 EXE:5200B；
- 2026 年 03 月：SK 海力士官宣大额 EUV 设备采购方案，锁定 2027 年底交付窗口；
- 2026 年 09 月：三星和 ASML 官宣扩大合作，计划 2028 年将 High NA EUV 用于 DRAM 量产；
- 2026 年 11 月：行业消息披露，三星、SK 海力士同步加速抢 ASML 光刻机交付席位，防范后续供货短缺。
争抢 ASML 光刻机带来的影响
- 行业层面：DRAM 产能扩张节奏被光刻机排期限制，未来高端 AI DRAM 价格更容易维持强势；
- 企业层面：拿到更早交付名额的一方，先进制程落地更快，在 HBM、高带宽存储竞争里更占优势；
- 成本层面：设备紧缺叠加零部件涨价，会持续抬高两家的资本支出，存储厂商盈利压力上升。
【相关 FAQ】
问题 1：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，抢的是 DUV 还是 EUV 机型？
回答 1：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，核心争抢的是 EUV 极紫外光刻机，也包含下一代 High NA EUV 机型，这类设备是制造先进 DRAM 的关键，普通 DUV 不是本次争抢的重点。
问题 2：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，主要用来生产什么芯片？
回答 2：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，主要用来生产先进 DRAM 内存芯片，面向 AI 服务器 HBM、高端消费级内存，不是 NAND 闪存或者手机逻辑芯片。
问题 3：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，为什么 ASML 的交付周期会拉长？
回答 3：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，是因为 ASML 产能有限、零部件供应链复杂，加上全球多家芯片厂同步下单 EUV，ASML 已经预警 2027–2028 年供应缺口，交付周期拉长至原先两倍。
问题 4：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，SK 海力士和三星谁先拿到 High NA EUV 设备？
回答 4：三星与 SK 海力士争抢 ASML 光刻机，SK 海力士已经在 2025 年落地存储行业首台量产 High NA EUV，三星则计划在 2028 年把 High NA EUV 正式导入 DRAM 量产产线。
【参考资料】
[2026-11-08]（三星与海力士争抢 ASML 光刻机）IT 时代网
[2026-11-08]（EUV 光刻机太缺，三星、SK 海力士竞相下单）腾讯新闻
[2026-11-08]（Samsung Electronics, SK Hynix Race to Secure ASML EUV Equipment）朝鲜日报英文网
[2026-09-08]（三星与 ASML 扩大合作，计划 2028 年将 High NA EUV 用于 DRAM）三星半导体新闻中心
【免责声明】
本文仅整理三星、SK 海力士争抢 ASML 光刻机的行业资讯，不构成任何投资建议。设备订单、交付排期、投产进度属于企业长期规划，存在调整、延期风险，相关订单细节以 ASML、三星、SK 海力士官方公告为准。半导体行业供需、存储价格波动受多重因素影响，市场预判不一定和实际走势一致。