三菱电机在 11 月 9 日正式对外发布研发成果，在全球范围内首次证明，采用 GaN 同质衬底制作的射频 GaN 晶体管，能够显著抑制频率色散（频散）问题，同时也厘清了晶体缺陷是诱发这类频散的核心根源。过去行业主流大多使用 SiC 碳化硅衬底来做 GaN 射频管，因为 SiC 导热能力强，但 SiC 和 GaN 材料晶格不一样，外延生长的时候很容易产生大量晶体缺陷，高频工作下缺陷会阻碍电子迁移，出现电流随频率变化的频散现象，设备工作不稳定，必须额外增加复杂的数字校正电路，造成整机体积变大、额外耗电。这次三菱电机改用 GaN 衬底长 GaN 外延层，晶格匹配度高，晶体缺陷数量大幅下降，频散被明显压制，电路校正环节可以简化，能够稳定释放 GaN 器件原本的高性能，这项技术可以用在 5G/6G 基站、雷达、工业微波加热设备，助力高频设备做得更小、性能更强、耗电更低，相关成果会在 IWN2026 氮化物半导体国际研讨会上面公开汇报。
新旧衬底方案对比清单
- 传统 SiC 衬底 GaN 射频管：散热好，但晶格失配，晶体缺陷多，高频频散明显，依赖数字补偿电路
- 新型 GaN 同质衬底 GaN 射频管：晶格匹配、缺陷少，频散显著降低，校正电路简化，工作特性更平稳
- 技术验证手段：引入缺陷响应的全新电路解析方法，量化缺陷和频散之间的关联关系
适用场景对照表
| 应用场景 | 使用价值 |
|---|---|
| 5G/6G 通信基站 | 功放输出更稳定，降低基站配套补偿电路成本 |
| 雷达系统 | 高频信号一致性更好，提升探测稳定性 |
| 工业微波加热设备 | 功率输出平稳，适配塑料化学回收等连续生产场景 |
| 卫星地面通信站 | 减少信号波动，提升大容量传输可靠性 |
技术落地跟踪步骤
- 查阅技术论文：在 IWN2026 会议资料查看完整测试数据、器件测试曲线
- 区分研发与量产：当前属于原理验证成果，不等于已经量产商用器件
- 关注成本变化：GaN 衬底目前成本高于 SiC 衬底，后续要看衬底产能降本进度
- 跟踪产品化公告：留意三菱电机后续有没有推出基于 GaN 衬底的商用射频晶体管型号
【相关 FAQ】
问题 1：三菱电机宣布首次用 GaN 衬底显著抑制射频晶体管频散，发布时间是哪天？
回答 1：三菱电机在 11 月 9 日对外官宣，首次使用 GaN 衬底实现射频 GaN 晶体管频散的显著抑制。
问题 2：三菱电机用 GaN 衬底抑制射频晶体管频散，传统方案一般用什么衬底？
回答 2：三菱电机用 GaN 衬底抑制射频晶体管频散，行业传统方案普遍采用 SiC 碳化硅衬底制备 GaN 射频晶体管。
问题 3：三菱电机 GaN 衬底射频晶体管方案，抑制频散之后有什么好处？
回答 3：三菱电机 GaN 衬底射频晶体管方案抑制频散后，高频工作状态更稳定，配套数字校正电路可以简化，高频设备可以小型化、提性能、降功耗。
问题 4：三菱电机 GaN 衬底抑制射频晶体管频散的研发成果，在哪里进行学术发表？
回答 4：三菱电机 GaN 衬底抑制射频晶体管频散的成果，将在 IWN2026 国际氮化物半导体研讨会进行发布。
【参考资料】
[2026-11-10]（三菱电机，宣布首次用 GaN 衬底显著抑制射频晶体管频散！）电子工程专辑
[2026-11-09]（Mitsubishi Electric Achieves World’s First Demonstration of Suppression of Frequency Dispersion in GaN Transistors Using GaN Substrates）三菱电机官网英文稿
[2026-11-09]（世界初、GaN 基板を採用した GaN トランジスタの周波数分散抑制を実証）三菱电机日文官网
【免责声明】
以上三菱电机 GaN 衬底抑制射频晶体管频散相关内容为企业研发新闻整理，该成果现阶段为实验室验证成果，器件量产时间、成本、商用型号规划以三菱电机后续官方公告为准，本内容不构成器件采购、项目选型以及投资建议。