中微半导体（中微公司，688012）正式发布 Primo Matrix 双反应台等离子体晶圆切割设备，首台整机已经交付国内头部集成电路封装客户；等离子切割是先进封装里替代传统刀片切割、激光切割的路线，主打窄切割道、低损伤，这台设备落地，代表国内在等离子划片这个细分装备上新增一条自主量产方案，也把中微原有 TSV 深硅刻蚀技术延伸到封装划片环节。传统刀片切割、激光切割会带来崩边、裂纹、热损伤，在薄晶圆、高密度微凸点、小间距芯片场景下良率瓶颈明显；等离子切割属于干法刻蚀，靠等离子体化学反应把切割道材料去除，没有机械应力，刚好适配 Chiplet、超薄晶圆这类先进封装方向。这套设备不是从零开发，复用了已经量产验证的 Primo TSV 深硅刻蚀技术底座，搭配双反应台腔室、独立晶圆传输模块，兼顾产能、均匀性和工艺弹性。
Primo Matrix 核心参数与工艺能力
- 晶圆尺寸：支持带框架 200mm、300mm 晶圆，以 12 英寸为主，向下兼容 8 英寸产线
- 切割道宽度：最小可做到 5μm，相比传统方案节省晶圆面积，提升单圆片芯片产出数量
- 晶圆厚度区间：25–700μm，覆盖常规晶圆、减薄超薄晶圆
- 腔体扩展：整机平台最多可搭载 6 个刻蚀反应台，适合长时间、大批量量产线
- 典型工艺模式：带凸点晶圆正面等离子切割、激光开槽后等离子精切、晶圆背面刻蚀划片；同时支持介质层硬掩膜开口刻蚀，适配带介质保护层、复杂表面结构的晶圆
和传统划片方案对比
- 刀片切割（机械划片）
- 激光切割
- 等离子体干法切割（Primo Matrix）
优点：成熟、成本低；短板：机械应力，超薄晶圆容易崩边、产生微裂纹，切割道需要预留较宽间距，不适合高密度先进封装。
优点：速度快；短板：存在热影响区，凸点、介质层容易被热损伤，精细窄切割道良率受限。
优点：无机械应力、无热损伤，适合窄切割道、超薄晶圆、凸点晶圆；可和激光开槽组合使用；
短板：设备单价更高，工艺链条和传统划片产线不同，封装厂需要配套工艺开发。
产业意义
先进封装是当前国内芯片产业链推进最快的赛道之一，但封装端核心设备长期依赖海外供应商。等离子划片属于后道封装的关键装备，过去国产化选择不多。中微这台设备交付，标志着国内刻蚀设备厂商从前道制造，持续向后道封装延伸，打通 “前道刻蚀 —TSV 硅通孔 — 晶圆划片” 的产品矩阵。对于 Chiplet、图像传感器、存储、功率器件等对崩裂、应力敏感的芯片，等离子切割路线是提升良率的重要方向；同时这套设备落地，也给国内封装厂提供国产备选，降低单一供应链风险。交付之后，下一步会进入客户工艺验证、量产爬坡阶段，再逐步拓展到更多封装厂商。
产品定位与中微装备布局
中微原本主力在前道介质刻蚀、硅刻蚀、TSV 深硅刻蚀；Primo Matrix 属于把成熟 ICP 等离子刻蚀平台做场景迁移，面向后道封装。同属 Primo 大家族，和 Primo TSV、Primo Domingo（高选择性刻蚀）共用平台技术，降低研发验证成本，方便客户同平台运维、备件复用。
【相关 FAQ】
问题 1：中微这次交付的 Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备，和刀片划片相比最大优势是什么？
回答 1：等离子切割是干法刻蚀，没有机械冲击，不会产生崩边、微裂纹，热影响很小，支持最小 5μm 的窄切割道，适合超薄晶圆、带凸点、Chiplet 这类先进封装，提升良率和单晶圆芯片产出。
问题 2：Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备是全新自研技术吗？
回答 2：核心刻蚀底座来自已经量产验证的 Primo TSV 深硅刻蚀平台，再针对晶圆划片场景重新优化腔室、传输和工艺配方，属于成熟平台向封装划片场景延伸。
问题 3：等离子体晶圆切割会不会完全取代激光和刀片切割？
回答 3：不会。刀片切割依然适合低成本、常规厚晶圆大批量场景；激光适合部分中精度快速划片；等离子切割更偏向高附加值先进封装，三者是互补关系，封装厂一般会根据芯片类型混合选用。
问题 4：Primo Matrix 等离子体晶圆切割设备支持多大尺寸晶圆？
回答 4：兼容带框架的 200mm 和 300mm 晶圆，以 300mm（12 英寸）为主流加工平台，向下兼容 8 英寸产线，厚度覆盖 25–700μm。
问题 5：等离子晶圆切割设备交付，对国内先进封装产业链意味着什么？
回答 5：补齐后道封装里等离子划片这个细分装备的国产方案，打破海外厂商在该设备上的垄断；给国内 Chiplet、超薄晶圆封装提供国产设备选项，同时代表国内刻蚀设备企业从前道制造持续向后道封装延伸。
【参考资料】
[2026-11-10]（中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付）央广网
[2026-11-10]（国产再突破：中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付）新浪科技
[2026-11-10]（中微 Primo Matrix 等离子划片设备参数说明）IT 之家
[2026-10-22]（中微 Primo Domingo 高选择性刻蚀设备付运）中微官网
[2026-11-10]（中微 Primo Matrix 产品工艺白皮书摘要）ZAKER
【免责声明】
本文信息来自中微官方发布与公开行业媒体报道；设备交付不等于立刻大规模量产，后续还需要经过客户工艺验证、良率爬坡；文中性能指标为官方发布指标，实际量产效果受工艺、晶圆结构、产线条件影响；不构成投资建议。