清溢光电布局掩膜版三期项目，主攻 28nm 至 14nm 高端掩膜版

清溢光电公告，控股子公司佛山清溢微计划投建高端半导体掩膜版三期项目，项目总投资上限 15 亿元，主打 28nm 到 14nm 节点的高端半导体掩膜版，在佛山现有厂房改造新增产线，用来承接国内晶圆厂先进制程扩产需求，补齐国内高端掩膜版的国产供给短板。掩膜版相当于芯片制造的底片，28nm、14nm 这类先进节点掩膜版技术门槛很高，国内国产化率偏低，长期依赖海外厂商采购，容易碰到交付周期长、价格波动、供应链保供等风险；国内很多晶圆厂正在升级 28nm 及以下制程，AI 芯片、功率芯片、车载芯片都需要大量高端掩膜版，市场需求持续上涨，而清溢光电一期已经投产、二期在推进，有成熟产线和工艺积累，从 55nm 往 28nm、14nm 迭代有连贯的技术基础，适合继续向上突破。三期项目不是新建厂房，是在原有基地里改造、新增高精度生产设备，项目预计 2026 年 12 月开工，整体建设周期 36 个月，资金由佛山清溢微自有或者自筹解决，不使用上市公司募集资金，项目现在已经通过董事会审议，还需要完成备案、环评等审批手续。这条产线建成后，清溢光电可以给国内晶圆厂提供 28nm-14nm 掩膜版本土配套，降低下游客户的供应链风险，也能完善自身在中高端掩膜版的产品矩阵，提升在半导体上游材料环节的竞争力。

一、三期项目基础信息表

二、清溢光电佛山基地三期之前的建设进度

1. 一期项目：已经顺利投产，主要覆盖成熟制程掩膜版产品
2. 二期项目：正在稳步推进建设与验证
3. 三期项目：本次新增扩建，向上冲刺 28nm-14nm 先进节点掩膜版

三、投建三期项目的核心原因

1. 国产替代需求：28nm-14nm 高端掩膜版国内供给不足，对外依赖度高，供应链稳定性差。
2. 下游需求拉动：国内晶圆厂持续扩产、制程升级，AI、车规、工控芯片对先进掩膜版需求持续增加。
3. 技术迭代基础：公司已经实现 55nm 掩膜版量产，掌握电子束光刻、干法刻蚀等核心工艺，向 28nm、14nm 推进具备技术延续性。
4. 产能补缺口：一期、二期以成熟制程掩膜版为主，三期专门补齐先进节点掩膜版产能。

四、项目带来的影响与风险

1. 积极影响

• 丰富国内高端掩膜版供给，给国内晶圆厂提供本土备选供应商，缩短交付周期。
• 清溢光电产品从成熟制程向 28nm、14nm 先进节点延伸，提升公司技术壁垒和营收空间。
• 完善国内半导体上游光刻配套产业链，助力芯片制造环节自主可控。

1. 潜在风险

• 项目需要环评、备案等审批，审批进度存在不确定性。
• 先进掩膜版研发难度大，良率爬坡、客户验证周期长，不一定能按时量产。
• 海外厂商竞争激烈，市场拓展、客户导入存在不确定性。

【相关 FAQ】

问题 1：清溢光电拟投建掩膜版三期项目，主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，三期项目投资金额是多少？

回答 1：清溢光电拟投建掩膜版三期项目，主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，项目计划总投资不超过 15 亿元，资金由佛山清溢微自有或自筹，不使用上市公司募集资金。

问题 2：清溢光电拟投建掩膜版三期项目，主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，这个项目什么时候开工、建设周期多久？

回答 2：清溢光电拟投建掩膜版三期项目，主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，预计 2026 年 12 月开工，整体建设期 36 个月，项目落地在佛山南海现有基地内改造扩建。

问题 3：清溢光电拟投建掩膜版三期项目，主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，掩膜版在芯片制造里起到什么作用？

回答 3：清溢光电拟投建掩膜版三期项目，主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，掩膜版就是芯片光刻环节的底片，光刻机通过掩膜版把电路图案转移到晶圆上，28nm、14nm 芯片对掩膜版的精度、缺陷控制要求极高。

【参考资料】

[2026-11-10]（清溢光电公告：控股子公司拟投建高端半导体掩膜版三期项目）巨潮资讯网

[2026-11-09]（清溢光电拟投建掩膜版三期项目 主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版）财联社

[2026-11-09]（清溢光电加码 15 亿布局 28nm-14nm 掩膜版）证券时报

[2026-11-09]（清溢光电掩膜版三期项目解读：冲刺先进节点国产替代）每日经济新闻

[2026-11-09]（清溢光电 15 亿扩产高端掩膜版，瞄准 28-14nm）新浪财经

【免责声明】

本内容基于上市公司公告、公开行业资讯整理，清溢光电掩膜版三期项目主打 28nm 至 14nm 高端掩膜版，项目还需要完成环评、备案等审批，后续良率、客户验证、量产时间都存在不确定性，内容仅作为半导体行业科普，不构成任何投资建议。