三星与SK海力士争夺EUV交付排期各自投入或达20万亿韩元_江南网

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抢排期卡位先进存储：三星、SK 海力士竞购 EUV，各自投入上限可达 20 万亿韩元

核心结论

韩媒消息显示，三星电子、SK 海力士正在竞争性锁定 ASML 的 EUV 光刻机交付配额，两家对应的设备投入区间均为 10–20 万亿韩元，最高各自可达 20 万亿韩元，目标拿下 2027–2028 年稀缺产能，支撑 1c DRAM、HBM 的扩产与制程升级；即便 ASML 持续扩产，EUV 供给缺口依然存在，交付周期拉长至原先两倍，能否拿到机台排期，直接决定两家在 AI 存储赛道的份额主动权。

正文

一、两家投入与订单现状

SK 海力士：今年 3 月已官宣一笔 11.95 万亿韩元的 EUV 采购，交付截止到 2027 年底，服务龙仁 Y1 晶圆厂，首座无尘室计划 2027 年 2 月启用，推进向 1c DRAM 过渡；后续仍存在追加订单、向上摸到 20 万亿韩元的空间。
三星电子：资金投向平泽 P4、P5 产线，新增 HBM4 单晶 DRAM 产线；P5 计划 2027 年年中导入光刻设备、2028 年正式投产，目标在 2028 年把 High‑NA EUV 落地到 DRAM 量产，整体 EUV 设备投入同样落在 10–20 万亿韩元区间。
共同策略：由于交期紧张，双方都在考虑提前锁单，防止排期被其他客户挤占；后续如果 HBM、先进 DRAM 需求超预期，资本开支还有继续抬升的可能。

二、为什么现在必须抢 EUV 排期

先进 DRAM 对 EUV 的依赖陡增：进入 1c 节点，EUV 曝光层数从以往 3 层提升至 5 层以上，同一条产线所需要的机台数量显著上涨，没有足够 EUV，就没法持续微缩、提升良率。
AI 拉动 HBM 持续紧缺：HBM 底层就是先进 DRAM，算力厂商持续备货，谁先把机台就位，谁就能更早释放 HBM 产能，抢占英伟达、云厂商订单。
ASML 产能跟不上需求：ASML 预警，即便 2027、2028 连续每年把 EUV 产能提升 30%，依旧供不应求；今年 EUV 出货约 65 台，存储器客户已经占到 ASML 整机销售的 46%，成为最重要的客户群体之一。
交付周期翻倍：受零部件、组装瓶颈影响，EUV 交付周期拉长至原来最长周期的两倍，下单之后等待时间大幅拉长，晚一步下单就可能错过产线投产窗口。

三、两家产线与 EUV 用途对照

厂商	核心产线	EUV 用途	关键时间节点
SK 海力士	龙仁 Y1	1c DRAM、新一代 HBM	2027 年 2 月无尘室启用，设备年底前交付完毕
三星电子	平泽 P4 / P5	HBM4、先进 DRAM、High‑NA EUV 验证	P5 设备 2027 年中导入，2028 年量产

四、推进路径

锁定短期配额：确认已披露订单，拿下 2026–2027 可交付的常规 EUV，保障现有升级路线。
争夺远期排期：向 ASML 提前预定 2028 年产能，重点争抢 High‑NA EUV 的名额，为下一代 DRAM 卡位。
产线土建同步赶工：无尘室、配套气体、水电同步建设，做到设备一到即可进场装机。
分摊涨价压力：接受设备与零部件提价，把成本计入 HBM、先进 DRAM 的长期定价模型。
持续优化曝光工艺：用更少机台产出更多良片，缓解单纯靠堆设备的压力。

五、风险与行业影响

高额设备投入会显著抬升固定成本，如果后续 AI 存储需求降温、HBM 价格回落，会压缩利润；EUV 持续紧缺还会推高整条半导体设备、光刻材料的涨价预期；同时，美系存储厂商、国内存储厂商也在争夺有限机台，排期竞争会长期持续。抢到排期不等于稳赢，但拿不到排期，在先进 DRAM 和 HBM 赛道会直接掉队。

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