AI 拉动 DDR5、HBM 需求持续走高，先进 DRAM 进入 1c（第六代 10nm 级）制程爬坡周期，三星与 SK 海力士正在竞争性下单 ASML EUV 光刻机，两家投入规模均在 10 万亿–20 万亿韩元区间，核心目标是锁定 2027–2028 年稀缺 EUV 产能；ASML 已经预警，就算 2027、2028 年 EUV 产能连续提升 30%，依然无法满足存储客户需求，设备交付周期拉长至原来两倍，能不能拿到稳定交付档期，直接决定两家 1c DRAM、HBM 产能释放节奏，这一轮争夺本质不是单纯买设备，而是卡位下一代存储的工艺和供给主动权。1c DRAM 制程微缩之后，EUV 曝光层数从过去 3 层提升至 5 层以上，单条产线对 EUV 机台需求量明显上涨，同时 HBM 配套基底 DRAM 同样依赖 EUV 工艺，存储厂商对 EUV 的消耗速度大幅提升；SK 海力士已经在今年 3 月官宣 11.95 万亿韩元 EUV 采购计划，2027 年底前交付，服务龙仁 Y1 晶圆厂；三星则围绕平泽 P4、P5 基地布局，P4 扩充 HBM4 配套 DRAM 产线，P5 规划 2028 年导入 High NA EUV 用于 DRAM 量产。
本次扩产核心背景清单
- 需求端：AI 服务器、AI PC、高端显卡拉动 DDR5、HBM、GDDR7，高附加值先进 DRAM 溢价明显
- 工艺端：1c DRAM 是当前主流先进节点，继续多重图形化成本过高，必须依赖 EUV 简化光刻工序
- 供给端：ASML EUV 产能紧张，存储器客户占 ASML 整机销售比重已经达到 46%，存储厂商和逻辑芯片厂商抢配额
- 长期路线：普通 EUV 之后，High NA EUV 是 DRAM 持续微缩的下一代基础，三星、SK 海力士都提前布局
- 投资节奏：设备分批进场，2027 年集中投产，2028 年进入产能释放高峰
三星与 SK 海力士扩产规划对比表
| 厂商 | EUV 采购计划 | 核心晶圆厂 | 制程方向 | 投产节点 | 重点产品 |
|---|---|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 11.95 万亿韩元（已官宣），上限可至 20 万亿韩元 | 龙仁 Y1、利川 M16 | 1c DRAM、High NA EUV 预研 | Y1 首间无尘室 2027 年 2 月 | DDR5、LPDDR6、HBM4、SOCAMM2 |
| 三星电子 | 10–20 万亿韩元区间，持续追加订单 | 平泽 P4、P5 | 1c DRAM、2028 年导入 High NA EUV | P5 一期 2027 设备导入，2028 量产 | HBM4 基底 DRAM、DDR5、GDDR |
EUV 对 1c DRAM 的价值
- 替代多重曝光工艺，减少掩膜、光刻次数，降低良率管控难度，缩短晶圆周转时间
- 更高图案精度，支撑 1c 节点继续缩小存储单元，同等面积下提升容量密度
- 适配 HBM 配套核心 DRAM 基底，HBM 堆叠密度越高，底层 DRAM 对光刻精度要求越高
- 为后续 1b、1a 节点以及 High NA EUV 落地打通产线验证流程
行业风险与约束
- EUV 交付周期拉长，就算下单，也存在延期、配额被压缩的风险，直接打乱扩产时间表
- 资本开支大幅抬升，EUV 单机价格极高，持续扩产会挤压利润，一旦存储周期下行，盈利压力很大
- 1c DRAM 良率爬坡存在不确定性，设备到位不等于产能立刻释放
- High NA EUV 成本更高、调试难度大，短期不会大规模铺开，主要用于远期技术卡位
- 全球存储竞争格局变化，美系厂商、国内存储厂商也会同步跟进先进制程路线
对产业链的传导影响
- 上游 ASML 订单饱满，EUV 设备交付优先级成为存储厂商的核心竞争力
- 配套光刻胶、光掩膜、特种气体、湿电子化学品同步受益，先进制程耗材需求上涨
- 中长期来看，1c DRAM 放量之后，DDR5 供给会逐步宽松，但高端 HBM 配套 DRAM 依然偏紧
- 存储价格周期被拉长，AI 高附加值 DRAM 削弱传统周期下行的幅度
【相关 FAQ】
问题 1：三星海力士重金争夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产，为什么 1c DRAM 这么依赖 EUV 光刻机？
回答 1：三星海力士重金争夺 EUV 产能加码先进 DRAM 扩产，1c 属于第六代 10nm 级 DRAM，线宽进一步缩小，EUV 曝光层数提升到 5 层以上，替代传统多重图形化方案，降低工艺复杂度、提升良率与密度。
问题 2：三星海力士重金争夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产，SK 海力士的 EUV 采购计划是什么时候对外公布的？
回答 2：三星海力士重金争夺 EUV 产能加码先进 DRAM 扩产，SK 海力士在今年 3 月官宣 11.95 万亿韩元 EUV 设备采购，这批设备计划 2027 年底前交付，供给龙仁 Y1 晶圆厂。
问题 3：三星海力士重金争夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产，High NA EUV 在 DRAM 上的规划是什么？
回答 3：三星海力士重金争夺 EUV 产能加码先进 DRAM 扩产，SK 海力士已经导入首台量产 High NA EUV 做预研；三星规划 2028 年把 High NA EUV 正式用于 DRAM 量产，支撑更下一代微缩。
问题 4：三星海力士重金争夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产，ASML 这边 EUV 供给情况怎么样？
回答 4：三星海力士重金争夺 EUV 产能加码先进 DRAM 扩产，ASML 明确 2027–2028 年 EUV 供给缺口持续存在，就算产能逐年提升，依然跟不上存储和逻辑芯片的订单需求，交付周期翻倍。
【参考资料】
[2026-11-10]（光刻大战开打！三星海力士重金争夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产）快科技
[2026-11-10]（砸下超 10 万亿韩元，三星、SK 海力士大手笔采购 ASML EUV 光刻机）环球网
[2026-11-10]（三星、SK 海力士争抢 EUV 配额 加码先进 DRAM 扩产）集微网
[2026-09-08]（Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration）三星半导体官网
【免责声明】
本文内容基于韩媒、ASML 财报、厂商公告与行业媒体整理，三星、SK 海力士 EUV 采购金额、交付时间、1c DRAM 产能释放节奏会随 ASML 排期、良率、存储市场周期动态调整，不构成存储芯片投资、备货、采购决策依据。